Николай Геннадиевич Басов

14.12.1922-1.07.2001

Нобелевский лауреат 1964 г.

1. Биография.

2. Научная деятельность.

Родился Николай Геннадиевич 14 декабря 1922 года в г. Усмань Воронежской губернии (ныне Липецкой области), в семье Зинаиды Андреевны и Геннадия Федоровича Басовых. Отец Николая стал впоследствии профессором Воронежского университета.

Окончание школы Николаем Басовым совпало с началом Великой Отечественной войны. В 1941 году он был призван в армию и направлен в Куйбышевскую военно-медицинскую академию. В 1942 году переведен в Киевское военно-медицинское училище, а в 1943 году, после его окончания, направлен в батальон химической защиты в качестве ассистента военного врача. С начала 1945 года и до конца войны с Германией воевал в составе 1-го Украинского фронта. 

 После этого Николай Геннадиевич Басов поступает в Московский физико-технический институт. Во время обучения (в 1948 году) он начинает работать лаборантом в Физическом Институте Академии Наук СССР (ФИАН имени П. Н. Лебедева).

В 1946 году Н.Г.Басов стал студентом Московского механического института (ныне Московский инженерно-физический институт), после его окончания в 1950 году поступил в аспирантуру этого института на кафедру теоретической физики, где его научным руководителем стал академик М. А. Леонтович.

С 1949 года Басов начинает работать в Физическом институте имени П. Н. Лебедева АН СССР. В те годы группа молодых физиков под руководством А. М. Прохорова приступила к исследованиям на новом научном направлении - радиоспектроскопии.  

Кто из мальчишек, прочитав знаменитый роман Алексея Толстого, не мечтал построить гиперболоид - аппарат, генерирующий тончайший световой луч, нагретый до миллионов градусов и режущий все на своем пути? Тем более что в книге был рисунок аппарата - совсем простой. О том, что тепловой луч может не только резать, но и найти самое разнообразное применение во многих областях науки и техники, да и сам гиперболоид отнюдь не простое устройство, автор романа вряд ли подозревал. Это стало понятно много лет спустя, когда в СССР и США приступили к фундаментальным исследованиям в области квантовой радиофизики. Но до этого Николаю Геннадиевичу Басову предстояло пройти долгий путь.

После выпуска Николай Геннадиевич остается в аспирантуре (под руководством М. А. Леонтовича и А.М. Прохорова). В 1952 году Николай Геннадиевич занял пост заместителя директора Физического Института Академии Наук СССР.

В 1952 году Басов и Прохоров выступили с первыми результатами теоретического анализа эффектов усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами. В 1953 году он защищает кандидатскую диссертацию. Через три года после нее - докторскую диссертацию по теме "Молекулярный осциллятор". Эта работа была посвящена исследованию молекулярного генератора на пучках аммиака.
Первый доклад Басова и Прохорова на тему создания оптического квантового генератора (ОКГ) озвучен ими на Всесоюзной конференции по радиоспектроскопии в мае 1952 года, а их первая статья на эту тему вышла в октябре 1954 года. На следующий год Николай Геннадиевич Басов и Александр Михайлович Прохоров опубликовали статью, в которой описали трёхуровневую схему создания оптического квантового генератора.
В 1955 году Николай Геннадиевич становится во главе группы, занимавшейся исследованием частотных характеристик молекулярных осцилляторов. В результате, в 1962 году, Басов, его коллеги и ученики (А.Н. Ораевский, В.В. Никитин, Г.М. Страховский, В. С. Зуев и другие) создали осциллятор, стабилизированный в пределах 10-11 герц.В 1955 году предложили эффективный и универсальный метод получения инверсной  заселенности - метод селективной накачки электромагнитным излучением так называемой "трехуровневой" системы. В результате были созданы принципиально новые малошумящие квантовые генераторы и усилители радиочастотного диапазона - мазеры, первым из которых явился мазер на молекулах аммиака (1955-1956). Эти работы, а также исследования, выполненные в США примерно в то же время Ч. Таунсом с сотрудниками, привели к рождению и бурному развитию новой области физики - квантовой электроники.

 За работы, посвященные квантовым генераторам, Басов и Прохоров удостоены в 1959 Ленинской премии. В 1961 обратил внимание на возможность использования лазеров в термоядерном синтезе, и последующие его работы привели к созданию нового направления в проблеме управляемых термоядерных реакций методов лазерного термоядерного синтеза. 

С 1961 года Николай Басов занимался (совместно с В. С. Зуевым, П. С. Кринковым, В. С. Летоховым и другими) проблемами получения мощного излучения.
В 1962 году Басов совместно с О. Н. Крохиным исследовал возможности применения лазеров для получения термоядерной плазмы.
В 1962 году Басов становится членом-корреспондентом Академии Наук СССР
Начиная с момента основания лаборатории квантовой радиофизики Физического Института Академии Наук СССР, в 1963 году Николай Геннадиевич Басов являлся бессменным руководителем, а также профессором института.
В 1963 году Басов принял участие в создании первого полупроводникового лазера на арсениде галлия (GaAs).
В 1963 году Николай Ганнадиевич Басов участвует в работе по оптоэлектронике. Ее результатом стало создание быстродействующих элементов на основе диодных лазеров.
В 1964 году Николай Басов совместно О. В. Богданкевичем и А. Н. Девятковым создал полупроводниковый лазер с электронной накачкой. Чуть позже, совместно с А. З. Грасюком и В. А. Катулиным, с оптической накачкой.
В 1964 году, совместно с Александром Михайловичем Прохоровым и Чарльзом Таунсом из Массачусетского технологического института (Кембридж, США) получает Нобелевскую премию по физике за разработку принципа действия лазера и мазера.
В 1966 году Николай Геннадиевич Басов становится действительным членом Академии Наук СССР.
В 1967 году Николай Геннадиевич становится членом Президиума Академии Наук СССР и членом Немецкой Академии Наук.
В 1968 году Басов, совместно с П. Г. Кринковым и Ю. В. Сенатским разработал лазер на неодимовом стекле. Этот лазер выдавал 30 джоулей в импулье длительностью 2E-11 секунды.
В 1968 году Басов, совместно с П. Г. Крюковым, Ю. В. Сенатским и С.Д. Захаровым, обнаружил эмиссию электронов дейтериевой плазмой, полученной с помощью лазера. Вместе с В. С. Летоховым Николай Басов предложил теорию формирования пикосекундных импульсом, а с А. Н. Ораевским - способ термической накачки. Этот метод привел к созданию газодинамических лазеров.
В 1970 годах Басов продолжал работать над химическими лазерами. Под его руководством был построен лазер на смеси дейтерия, фтора и диоксида углерода.
В 1971 году Николай Геннадиевич Басов, совместно с Г. В. Склизковым, разработал многочастотные лазеры, которые могли выдавать до 103 джоулей в импульсе длительностью 1E-9 секунды.
В 1973 году Николай Геннадиевич занял пост директора Физического Института Академии Наук СССР.
В конце 1970 годов Басов (совместно с Е. П. Маркиным, А. Н. Ораевским и А. В. Панкратовым) представил экспериментальные доказательства ускорения химических реакций инфракрасным лазерным излучением.

Работы в различных областях квантовой радиофизики и ее применений. Открыл принцип генерации и усиления излучения квановыми системами, разработал физические основы стандартов частоты, выдвинул ряд идей в области полупроводниковых квантовых генераторов, провел исследования по формированию и усилению мощных импульсов света, по взаимодействию мощного светового излучении с веществом. Разработал лазерный метод нагрева плазмы для управляемого термоядерного синтеза, выполнил значительный цикл исследований по мощным газовым квантовым генераторам, химическим лазерам, выдвинул новые идеи применения лазеров в оптоэлектронике. 

   Дважды Герой Социалистического Труда (1969, 1982). Создал школу физиков. Член ряда зарубежных академий наук. Председатель правления общества «Знание) (с 1978), главный редактор журналов «Квантовая электроника» и «Природа». Золотая медаль А. Вольты (1977). 

Главным в научной деятельности Н. Г. Басова является создание и развитие новых перспективных научных направлений, кардинально меняющих традиционные взгляды, и одновременно проведение исследований в уже развитых направлениях для обеспечения решения крупных и конкретных задач науки и техники. Этим прежде всего объясняется разнообразие и широта научных направлений, созданных Н.Г. Басовым и его школой, необычно большое число докторов и кандидатов наук, выросших в этой школе, а также значительное количество крупных работ, выполненных его учениками и сотрудниками, удостоенных высоких научных премий.

Еще в период работы над молекулярными генераторами Н. Г. Басов пришел к идее о возможности распространения принципов и методов квантовой радиофизики на оптический диапазон частот. Начиная с 1957 года он занимается поиском путей создания оптических квантовых генераторов - лазеров.

В 1959 году Н. Г. Басов публикует работу "Квантово-механические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний", в которой предлагалось использовать для создания лазера инверсную заселенность в полупроводниках, получаемую в импульсном электрическом поле. Это предложение ознаменовало начало освоения квантовой электроникой оптического диапазона частот.

В 1959 году за открытие нового принципа генерации и усиления электромагнитного излучения на основе квантовых систем Н. Г. Басову и А. М. Прохорову была присуждена Ленинская премия.

Развивая работы по полупроводниковым лазерам, Н. Г. Басов и его ученики предложили и обосновали методы создания полупроводниковых лазеров: с оптической накачкой, инжекционных и с электронным возбуждением. В конце 1962 года в США и в СССР были созданы инжекционные лазеры, а в начале 1964 года в лаборатории Н. Г. Басова впервые была получена генерация при возбуждении сульфида кадмия электронным пучком.

В 1964 году Н. Г. Басов, А. М. Прохоров и Ч. Таунс (США) становятся лауреатами Нобелевской премии, которой они были удостоены за фундаментальные исследования в области квантовой электроники, приведшие к созданию мазеров и лазеров.

В 1973 году Н. Г. Басов избирается директором ФИАНа. Под его руководством крупнейший институт Академии наук СССР продолжает заложенные предшествующими руководителями - академиками С. И. Вавиловым и Д. В. Скобельцыным традиции в открытии новых и развитии перспективных направлений практически во всех областях современной физики.
Н. Г. Басов многое сделал для модернизации и дальнейшего развития ФИАН. В 1963 г. по его инициативе в Красной Пахре (сейчас город Троицк) было создано ОКБ института, которое стало незаменимым помощником ученых в обеспечении исследований важными экспериментальными установками, оборудованием и материалами.

В 1980 году по инициативе Н. Г. Басова в Самаре был организован филиал ФИАНа, стремительно развившийся в ведущий в стране центр по лазерной технике и технологии.
Велик вклад Н.Г. Басова в организацию работ по квантовой электронике. По его инициативе был создан ряд отраслевых научно-исследовательских институтов, занимающихся различными прикладными вопросами лазерной техники. Эти НИИ тесно и плодотворно сотрудничают с учеными ФИАН в решении актуальных задач создания и промышленного внедрения приборов квантовой электроники. Под руководством Н. Г. Басова был разработан и реализован ряд комплексных программ по развитию важнейших направлений квантовой электроники.

Много сил отдает Н. Г. Басов подготовке научных кадров высшей квалификации. Его учениками являются около 60 докторов и более 300 кандидатов наук. С 1976 года под его руководством и при его участии регулярно проводятся в Ростове Всесоюзные школы по физике, где выдающиеся ученые знакомят молодых физиков с последними достижениями и еще не решенными проблемами современного естествознания.

Н. Г. Басов возглавляет кафедру квантовой электроники в Московском инженерно-физическом институте, ставшую одним из ведущих центров по подготовке высококвалифицированных специалистов в этой области.

Руководя крупными научными коллективами, Н. Г. Басов всегда находил время для пропаганды науки и распространения научных знаний. Его перу принадлежат десятки обзорных и популярных статей, в которых он излагал и пропагандировал достижения физики, стремясь сделать их достоянием широких кругов общественности. Много сделал он на посту председателя правления Всесоюзного общества "Знание".

За выдающиеся научные достижения Н. Г. Басов в 1962 году был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1966 году - действительным членом АН СССР. С 1967 по 1990 год он член Президиума Академии наук, а с 1990 года - советник Президиума РАН.

Большую известность приобрела работа Н. Г. Басова как главного редактора журналов "Природа" (1967-1990) и "Квантовая электроника" (1971). Журнал "Квантовая электроника" за 20 лет существования стал одним из основных журналов в своей бурно развивающейся области не только в нашей стране, но и во всем мире.

Басов был вице-председателем исполнительного совета Всемирной федерации научных работников, членом Советского комитета защиты мира, Всемирного Совета Мира. Басов работал главным редактором научно-популярных журналов "Квантовая электроника" и "Природа", был членом редколлегии журнала "Il Nuovo Cimento".

Николай Геннадиевич Басов - дважды Герой Социалистического труда. Он награждён золотой медалью Чехословацкой Академии Наук. Басов состоял членом Болгарской, Польской, Чехословацкой, Французской и Немецкой Академий Наук. Басов являлся иностранным членом Немецкой академии естествоиспытателей "Леопольдина", Шведской королевской академии инженерных наук, Американского оптического общества.

Наряду с большой научной и организационной работой Н. Г. Басов активно участвует в общественной жизни страны и в международных научных организациях (ВФНР, МАГАТЭ, ЮНЕСКО). В 1974-1989 годах он депутат Верховного Совета СССР, с 1982 по 1989 год - член Президиума Верховного Совета СССР. С 1991 года является членом Экспертного совета при Председателе Правительства Российской Федерации.

За большие заслуги в развитии науки Н. Г. Басов дважды удостоен звания Героя Социалистического Труда, награжден пятью орденами Ленина, Золотой медалью имени М. В. Ломоносова АН СССР. Он - кавалер орденов "За заслуги перед Отечеством", Отечественной войны II степени, многих медалей.

Басов наметил ряд путей использования полупроводниковых лазеров в науке и технике. И его прогноз оправдался. На основе инжекционных лазеров были созданы быстродействующие оптические элементы, а на основе лазеров с электронным возбуждением - проекционное телевидение и адресный коммутатор.
      Свою часть "нобелевки" в размере 10 тысяч долларов Басов так и не получил.

 1 июля 2001 году Николай Геннадиевич Басов умер.